机译:具有电晕放电等离子体处理的AlGaN / GaN MOS-HEMT
机译:使用后蚀刻表面处理,常掉Al 2 O 3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT的电子传输性能和导通电阻的改善
机译:采用不同的蚀刻后表面处理的常关型Al2O3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT中的界面和边界俘获效应?
机译:氟处理对E型AlGaN / GaN MOS-HEMT的影响
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:使用后蚀刻表面处理,常掉Al 2 O 3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT的电子传输性能和导通电阻的改善